Galaxy S26 將不會(huì)配備三星速度最快的 LPDDR6 內(nèi)存。
三星將在2026年國(guó)際消費(fèi)電子展（CES 2026）上推出其LPDDR6內(nèi)存，但Galaxy S26系列不太可能獲得這項(xiàng)重大升級(jí)。該公司正在為即將到來的展會(huì)做準(zhǔn)備，而商業(yè)化還需要時(shí)間。
近日，三星在其CES展會(huì)頁面上確認(rèn)將發(fā)布LPDDR6內(nèi)存。該公司還預(yù)告了下一代動(dòng)態(tài)內(nèi)存（預(yù)計(jì)于2026年發(fā)布）的一些關(guān)鍵升級(jí)。
2026 年國(guó)際消費(fèi)電子展 (CES) 定于明年 1 月的第一周舉行。三星將利用周末時(shí)間發(fā)布新品。該公司近日已確認(rèn)將展出 Galaxy XR、折疊屏手機(jī)和其他硬件創(chuàng)新產(chǎn)品。
LPDDR5X 是三星目前速度最快的內(nèi)存。Galaxy S26 系列也將配備 LPDDR5X 內(nèi)存。所有機(jī)型很可能都配備 12GB 內(nèi)存，而 Ultra 版本可能會(huì)推出 16GB 特別版。
三星的LPDDR6 DRAM將采用其12nm工藝制造。據(jù)稱，與LPDDR5(X)相比，新方案的傳輸速度提高了11.5%（最高可達(dá)10.7 Gbps），效率提高了21%。
這家韓國(guó)科技巨頭將在2026年國(guó)際消費(fèi)電子展（CES 2026）上公布其下一代RAM技術(shù)的更多細(xì)節(jié)。此前，該公司宣布其多款產(chǎn)品在這一全球最大的消費(fèi)電子展上榮獲創(chuàng)新獎(jiǎng)。
別再糾結(jié)于 LPDDR6 內(nèi)存了，Galaxy S26 系列或許會(huì)在存儲(chǔ)技術(shù)上帶來顯著升級(jí)。驍龍 8 Elite Gen 5 支持UFS 4.1 閃存，三星明年也可能在 Galaxy S26、S26 Plus 和 S26 Ultra 上實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。
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